领先行业两年三星正式量产第五代闪存1

【中国】7月11日，根据外媒报道，电子目前已经正式开始量产第五代三维( D)V Nand闪存，本月起已在京畿道平泽工厂投入批量生产。这是三星电子在上一代产品时隔1年零7个月以后再次升级。

图片来自络

三星电子发布公告称将批量生产全球首款256Gb的第五代V Nand，相比于第四代产品，新产品的数据处理速度到达每秒1.4Gb，比第四代快40%。启动电压减少了 %(1.8→1.2V)，数据使用时间(500微秒)也加快了 0%。

图片来自络

考虑到、WDC、镁光等竞争公司是以第四代64~72层产品为主力军，三星的第五代V Nand的“三维(圆筒形)CTF 存储单元(Cell)”层数超过90多层。闪存的层数越高，在实现统一容量方面需要的芯片就越少。

根据全球半导体视察(DRAMeXchange)的资料显示，三星电子在今年第一季度创下了 7%的Nand Flash占有率。而中国今年计划批量生产 2层的 D Nand，相当于第二代闪存技术。

版权所有，未经许可不得转载

小孩干咳怎么回事

小孩干咳怎么办

小孩干咳嗽吃什么好的快一点

肾虚吃什么补得快

孩子消化不良有口气怎么办

薏芽健脾凝胶疗程